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TeraSpike - LT-GaAs光电场检测器
TeraSpike是新一代的微探针,用于太赫兹频率范围内电场的光电导检测。基于客户的反馈和不断增长的应用驱动的需求,我们对近场探针进行了彻底的重新设计并且开发成功。新的探针是一款多用途表面近场电场探测器,适用于太赫兹波长范围内,具有前所未有的性能,可靠并且可适应。它可以完美地集成到太赫兹时域系统,在860 nm以下光激发,这是zui高性价比的解决方案,将您的系统变成功能强大的高分辨率近场太赫兹系统。
■ 市场上zui小的主动太赫兹探针,基于技术上认可设计,悬臂厚度仅有1μm(DE102009000823.3)
■ 空间分辨率达3微米
■ 频率范围0-4太赫兹
■ 适用于所有基于激光的λ<860 nm的太赫兹系统
■ 安装与标准光机械部件兼容
■ 典型的光激发功率:飞秒激光器1-5毫瓦(1-5微焦/平方厘米)
TeraSpike TD-800- |
X-HR |
X-HRS |
X-HS |
Z-A-500G |
Max. spatial resolution |
3 μm |
20 μm |
100 μm |
8 μm |
Photoconductive gap size at tip |
1.5 μm |
2 μm |
3 μm |
5 μm |
Dark current @ 1V Bias |
< 0.5 nA |
< 0.5 nA |
< 0.4 nA |
< 0.4 nA |
Photocurrent |
> 1 μA |
> 0.6 μA |
> 0.6 μA |
> 0.5 μA |
Excitation wavelength |
700 nm ... 860 nm | |||
Excitation power |
1 mW ... 4 mW | |||
Connection type |
SMP |
产品应用:
■ 超太赫兹研究:超材料,等离子体,石墨烯,波导,...
■ 高分辨率太赫兹近场成像
■ 非接触式薄膜电阻半导体成像
■ MMIC器件特性分析
■ 无损检测芯片
■ 时域反射计(TDR)
Measured near-field distribution of a gated graphene layer on SiO2-Si revealing conductivity inhomogeneity 测量在 SiO2-Si上的石墨烯膜层的近场分布
Measured near-field image of a pulse-excited THz metamaterial surface
测量脉冲激发的THz超物质表面的近场图像
Measured near-field image of a pulse-excited THz metamaterial surface
测量脉冲激发的THz超物质表面的近场图像
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