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产品详情

大光敏面锗（Ge）光电二极管

近红外波长

Microphotons的 MP-FDG50锗光电探测器（germanium (Ge) photodiode ）是用来测量连续激光或者脉冲激光在工作波长 800 to 1800 nm的完美选择. 此探测器为TO-8 封装，便于集成到系统也便于客户单独使用。

详细参数：

Specifications

Sensor Material

Ge

Wavelength Range

800 - 1800 nm

Peak Wavelength

1550 nm (Typ.)

Responsivity

0.85 A/W (Typ.)

Active Area Diameter

19.6 mm2 (O5 mm)

Rise/Fall Time (RL = 50 Ohms, 10 V)

220 ns / 220 ns (Typ.)

NEP, Typical (1550 nm)

4.0 x 10-12  W/Hz1/2 (Typ.)

Dark Current (5 V)

60 uA (Max.)

Capacitance (10 V)
Capacitance (0 V)

1800 pF (Max.)
16000 pF (Max.)

Shunt Resistance

4000 Ohm (Typ.)

Package

TO-8

Max Ratings

Max Bias (Reverse) Voltage

10 V

Operating Temperature

-55 to 60 °C

Storage Temperature

-55 to 60 °C
Ge探测器光谱响应图：

PIN引脚定义：

推荐电路：
尺寸图：