新版网站

客服手机：13061644116

电话咨询：021-64149583

邮件咨询：moli@microphotons.com

产品详情
砷化镓（GaAs）窗片

GaAs的生产采用Czochralski或水平Bridgeman晶体生长技术。 由于它是含砷的，应注意处理和工作中的预防措施。砷化镓在远红外光学和透镜系统中具有专门的应用。

技术参数：

传输范围：

116μm（1）

折射率：

3.2727 @10.33μm（1）

反射损失：

44％@10.33μm

吸收系数：

0.01cm -1

吸收峰：

n / a

dn / dT：

147 x 10-6/°C @ 10  μm (4) for derivation

dn /dμ= 0：

6.3μm

密度：

5.315g / cc

熔点：

1511℃

热导率：

48 W m-1 K-1 @ 273K (2)

热膨胀：

5.7 x 10-6 /°C at 300K (3)

硬度：

Knoop 750

比热容：

360 J Kg-1 K-1

介电常数：

在低频下为12.91

杨氏模量（E）：

84.8GPa

剪切模量（G）：

n / a

体积模量（K）：

75.5GPa

弹性系数：

n / a

表观弹性极限：

71.9 MPa

泊松比：

0.31

溶解性：

不溶于水

分子量：

144.64

类/结构：

立方ZnS，F43m，（100）裂解

光谱透射曲线：

折射率：(No = Ordinary Ray)

um

No

um

No

um

No

1.033

3.492

1.550

3.3737

2.066

3.338

2.480

3.324

3.100

3.3125

4.133

3.3027

4.959

3.2978

6.199

3.2921

7.293

3.2874

8.266

3.2831

9.537

3.2769

10.33

3.2727

11.27

3.2671

12.40

3.2597

13.78

3.2493

15.50

3.2336

17.71

3.2081

19.07

3.1866

产品规格：

订购型号

规格(D×L)(mm)

光谱范围

GAASP10-0.3

10.0×0.3mm

IR

GAASP25.4-2

25.4×2.0mm

IR