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产品详情

MP5522型系列盖革模式

InGaAs 单光子雪崩光电二极管

产品特性:
专为单光子探测应用设计,盖革模式工作
响应光谱范围1000nm-1650nm
产品应用:
量子通信
时间相关单光子计数
光时域反射计
3D 成像
激光测距
DNA测序
光学相干层析
荧光检测及其光谱分析
产品参数:



静态参数(@Tc=22±3

特性参数Parameters

符号

测试条件Test conditions

zui小

典型

zui大

 

单位

 

光谱响应范围

Response Spectrum

λ

10001650

nm

响应度

Reponsivity

Re

λ=1.55μmVR=VBR-2Vφe=1μw

10

 

14

A/W

反向击穿电压

Reverse breakdown voltage

VBR

ID=10mATc=22

65

 

75

V

工作电压温度系数

Operating voltage temperature coefficient

γ

Tc=-60+30ID=10mA

 

0.1

 

V/

暗电流

Dark current

ID

φe=0μwVR=VBR-2V

 

 

3.0

nA

结电容

Total capacitance

Ctot

1MHzVR=VBR-2V

 

 

0.2

pF




盖革模式下性能参数

参数

Parameter

测试条件

Test conditions

MP5512Y/MP5522Y

MP5513Y/MP5523Y

单位

Unit

zui小值 Min

zui大值 Max

zui小值 Min

zui大值 Max

暗计数率(DCR)

fgate=50kHzTgate=10nsSPDE=10%

 

10

 

3

kHz

单光子探测效率(SPDE)

fgate=fpulse=50kHzTgate=10ns, DCR=10kHzλ=1.55μm,

0.1 photon per pulse

10

 

20

 

%

后脉冲概率(APP)

@2us, fpulse=50kHz Tgate=10ns, SPDE=10%, λ=1.55μm,

0.1 photon per pulse

 

2

 

2

%

测试条件补充说明:

 1 MP5512Y/MP5522Y测试温度为TA= -35MP5513Y/MP5523Y测温度为TA= -43

 2过偏压Vob范围:1.0~2.0V

 3直流工作电压Vdc范围:(Vbr-1V)~(Vbr-2V)

以上数据仅供参考,用户需要根据实际的应用来选择适合的工作条件。


zui大额定值:


参数

条件

zui小值

zui大值

单位

正向电流

Forward current

连续方式

 

1

mA

正向电压

Forward voltage

连续方式

 

1

V

反向电流

Reverse current

连续方式

 

1

mA

反向电压

Reverse voltage

连续方式

 

Vbr+5

V

脉冲方式

 

Vbr+10

入射光功率Optical Power

连续方式

(CW)

 

1

mW

贮存温度

storage temperature

 

-55

85


典型特性曲线:

Fig. 1 DCR and APP vs Tempearture of the MP5522Y/MP5512Y when PDE=10%
图1  MP5522Y/MP5512Y PDE=10%时,温度对暗计数率和后脉冲概率的影响

Fig.2 Photocurrent and dark current vs reverse voltages of the MP5522Y/MP5512Y
图2 MP5522Y/MP5512Y光电流-暗电流曲线

封装外形及尺寸:


尺寸大小

尺寸符号

D1

D2

D3

L1

L2

H

E

zui大值

6.60

2.55

0.50

19.00

26

公称值

2.54

zui小值

6.40

2.45

0.40

18.00

500

20

1:未注公差的尺寸应符合GB/T 1804-m级的规定;

2:光纤长度L2可按订货文件规定。


引脚定义

注意事项:


该器件需要温度反馈工作电压控制
贮运、使用注意静电保护措施
光纤弯曲半径不小于20mm
使用前保证光纤连接处洁净