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MP5522型系列盖革模式
InGaAs 单光子雪崩光电二极管
静态参数(@Tc=22±3℃) | ||||||
特性参数Parameters |
符号 |
测试条件Test conditions |
zui小 |
典型 |
zui大
|
单位
|
光谱响应范围 Response Spectrum |
λ |
— |
1000~1650 |
nm | ||
响应度 Reponsivity |
Re |
λ=1.55μm,VR=VBR-2V,φe=1μw |
10 |
|
14 |
A/W |
反向击穿电压 Reverse breakdown voltage |
VBR |
ID=10mA,Tc=22℃ |
65 |
|
75 |
V |
工作电压温度系数 Operating voltage temperature coefficient |
γ |
Tc=-60~+30℃,ID=10mA |
|
0.1 |
|
V/℃ |
暗电流 Dark current |
ID |
φe=0μw,VR=VBR-2V |
|
|
3.0 |
nA |
结电容 Total capacitance |
Ctot |
1MHz,VR=VBR-2V |
|
|
0.2 |
pF |
盖革模式下性能参数 | ||||||
参数 Parameter |
测试条件 Test conditions |
MP5512Y/MP5522Y |
MP5513Y/MP5523Y |
单位 Unit | ||
zui小值 Min |
zui大值 Max |
zui小值 Min |
zui大值 Max | |||
暗计数率(DCR) |
fgate=50kHz,Tgate=10ns,SPDE=10% |
|
10 |
|
3 |
kHz |
单光子探测效率(SPDE) |
fgate=fpulse=50kHz,Tgate=10ns, DCR=10kHz,λ=1.55μm, 0.1 photon per pulse |
10 |
|
20 |
|
% |
后脉冲概率(APP) |
@2us, fpulse=50kHz, Tgate=10ns, SPDE=10%, λ=1.55μm, 0.1 photon per pulse |
|
2 |
|
2 |
% |
测试条件补充说明: 1 MP5512Y/MP5522Y测试温度为TA= -35℃,MP5513Y/MP5523Y测温度为TA= -43℃ 2过偏压Vob范围:1.0~2.0V 3直流工作电压Vdc范围:(Vbr-1V)~(Vbr-2V) 以上数据仅供参考,用户需要根据实际的应用来选择适合的工作条件。 |
参数 |
条件 |
zui小值 |
zui大值 |
单位 |
正向电流 Forward current |
连续方式 |
|
1 |
mA |
正向电压 Forward voltage |
连续方式 |
|
1 |
V |
反向电流 Reverse current |
连续方式 |
|
1 |
mA |
反向电压 Reverse voltage |
连续方式 |
|
Vbr+5 |
V |
脉冲方式 |
|
Vbr+10 | ||
入射光功率Optical Power |
连续方式 (CW) |
|
1 |
mW |
贮存温度 storage temperature |
|
-55 |
85 |
℃ |
Fig. 1 DCR and APP vs Tempearture of the MP5522Y/MP5512Y when PDE=10%
图1 MP5522Y/MP5512Y PDE=10%时,温度对暗计数率和后脉冲概率的影响
Fig.2 Photocurrent and dark current vs reverse voltages of the MP5522Y/MP5512Y
图2 MP5522Y/MP5512Y光电流-暗电流曲线
尺寸大小 |
尺寸符号 | ||||||
D1 |
D2 |
D3 |
L1 |
L2 |
H |
E | |
zui大值 |
6.60 |
2.55 |
0.50 |
19.00 |
— |
26 |
— |
公称值 |
— |
— |
— |
— |
— |
— |
2.54 |
zui小值 |
6.40 |
2.45 |
0.40 |
18.00 |
500 |
20 |
— |
注1:未注公差的尺寸应符合GB/T 1804-m级的规定; 注2:光纤长度L2可按订货文件规定。 |
注意事项: